C2225C680KBGACTU备选型号: CL31C680KHFNNNF

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  • 端子形状
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  • JESD-609代码
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  • HTS代码
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  • 温度特性代码
  • 多层
  • 高度
  • 长度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 包装/外壳
  • 电容式
  • 宽度
  • 器件厚度
  • KEMET
    68 pF, 630 VDC, -55/ 125°C
    表面贴装
    WRAPAROUND
    C0G
    125°C
    -55°C
    630V
    Tape & Reel
    10%
    e3
    yes
    2
    SMD/SMT
    EAR99
    30ppm/Cel ppm/°C
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    8532.24.00.20
    68pF
    6.4mm
    5763
    2225
    C0G
    1.6mm
    5.6mm
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Samsung Semiconductor
    表面贴装
    WRAPAROUND
    C0G
    125°C
    -55°C
    630V
    Tape & Reel
    10%
    e3
    yes
    2
    -
    EAR99
    30ppm/Cel ppm/°C
    Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    8532.24.00.20
    68pF
    1.6mm
    -
    -
    C0G
    1.25mm
    3.2mm
    符合RoHS标准
    -
    1206
    陶瓷电容器
    1.6002mm
    1.397mm
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