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首页 全部分类 C2M1000170D vs IPW65R660CFDFKSA1

C2M1000170D备选型号: IPW65R660CFDFKSA1

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  • 资历状况
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  • 操作模式
  • 晶体管应用
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 无铅
  • Cree/Wolfspeed
    C2M1000170D
    Cree/Wolfspeed
    WOLFSPEED C2M1000170D. MOSFET, N CHANNEL, 1.7KV, 4.9A, TO-247-3
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    TO-247-3
    4.9A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    Z-FET™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    1
    Single
    69W
    9 ns
    N-Channel
    1.1Ohm @ 2A, 20V
    2.4V @ 100μA
    191pF @ 1000V
    13nC @ 20V
    46ns
    1700V
    +25V, -10V
    9 ns
    有
    4.9A
    2.4V
    25V
    191pF
    950mOhm
    1.1 Ω
    2.4 V
    21.1mm
    16.13mm
    5.21mm
    Unknown
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPW65R660CFDFKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 700V 6A TO247
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2008
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    62.5W
    9 ns
    N-Channel
    660m Ω @ 2.1A, 10V
    4.5V @ 200μA
    615pF @ 100V
    22nC @ 10V
    8ns
    700V
    ±20V
    10 ns
    -
    6A
    -
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    SILICON
    e3
    yes
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    650V
    6A
    0.66Ohm
    无铅
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