CBR08C409C5GAC备选型号: 08055A4R0CAT2A
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- CAP CER 4PF 50V NP0 08050805 (2012 Metric)Surface Mount, MLCCWRAPAROUNDCeramicC0G5.499807mg50V2016CBR-SMD RF C0GTR, PUNCHED PAPER, 7 INCH-55°C~125°C0.079Lx0.049W 2.00mmx1.25mm±0.25pFe3活跃1 (Unlimited)2SMD/SMTEAR99C0G NP0Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierRF, Microwave, High Frequency8532.24.00.204pF20120805C0G有High Q, Low Loss, Ultra Low ESR1.25mm2mm950μm0.035 0.88mm889μmROHS3 Compliant-----
- CAP CER 4PF 50V NP0 08050805 (2012 Metric)表面贴装WRAPAROUND-C0G-50V2015-Tape & Reel (TR)-55°C~125°C0.079Lx0.049W 2.01mmx1.25mm±0.25pFe3活跃1 (Unlimited)2SMD/SMT-C0G NP0Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier通用型-4pF20120805C0G有----0.037 0.94mm939.8μmROHS3 Compliant12 Weeksyes1.25mm陶瓷电容器无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 08055A4R0CAT2A | NA | 陶瓷电容器 | 0805 (2012 Metric) | CAP CER 4PF 50V NP0 0805 | 对比 |
![]() | CL21C040CBANNNC | Samsung Electro-Mechanics | 陶瓷电容器 | 0805 (2012 Metric) | CAP CER 4PF 50V C0G/NP0 0805 | 对比 |
![]() | CL21C040CBANNND | Samsung Semiconductor | 陶瓷电容器 | 0805 | 对比 |






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