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首页 全部分类 CDCVF111FN vs MC100E111FNG

CDCVF111FN备选型号: MC100E111FNG

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  • 器件厚度
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  • 无铅
  • 系列
  • 已出版
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  • 电源
  • 最大输入电压
  • 无卤素
  • 输入电流
  • 座位高度(最大)
  • 达到SVHC
  • Texas Instruments
    CDCVF111FN
    Texas Instruments
    IC CLK BUFFER 1:9 650MHZ 28PLCC
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    12 Weeks
    Gold
    表面贴装
    表面贴装
    28-LCC (J-Lead)
    28
    -40°C~85°C
    Tube
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    28
    Fanout Buffer (Distribution)
    525mW
    3V~3.6V
    QUAD
    J BEND
    260
    1
    3.3V
    650MHz
    CDCVF111
    28
    9
    3.3V
    3.6V
    3V
    1
    100mA
    525mW
    600 ps
    100mA
    600 ps
    111
    LVPECL
    1:9
    Yes/Yes
    0.6 ns
    0.05 ns
    4.57mm
    11.51mm
    11.51mm
    4.06mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MC100E111FNG
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR MC100E111FNG IC, ECL 100, SMD, 100E111, PLCC28
    ACTIVE (Last Updated: 12 hours ago)
    4 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    28-LCC (J-Lead)
    28
    -40°C~85°C
    Tube
    e3
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    28
    Fanout Buffer (Distribution)
    -
    4.2V~5.7V
    QUAD
    J BEND
    260
    1
    5V
    800MHz
    MC100E111
    28
    9
    -
    5.7V
    4.2V
    1
    -
    -
    680 ps
    -
    900 ps
    -
    ECL, PECL
    1:9
    Yes/Yes
    0.66 ns
    0.075 ns
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    100E
    2002
    Tin (Sn)
    NECL MODE: VCC = 0 V WITH VEE = -4.2 V TO -5.7 V
    40
    ECL, PECL
    -4.5V
    4.12V
    无卤素
    45mA
    4.57mm
    无SVHC
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