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首页 全部分类 CL03C8R2BA3GNNH vs CL03C8R2CA3GNNH

CL03C8R2BA3GNNH备选型号: CL03C8R2CA3GNNH

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  • 温度系数
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  • 多层
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  • 长度
  • 高度
  • 器件厚度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • Samsung Semiconductor
    CL03C8R2BA3GNNH
    Samsung Semiconductor
    0201
    表面贴装
    WRAPAROUND
    C0G
    25V
    -55°C
    125°C
    Tape & Reel
    e3
    yes
    2
    EAR99
    30ppm/Cel ppm/°C
    Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    8532.24.00.20
    8.2pF
    300μm
    陶瓷电容器
    C0G
    有
    1.22%
    1.22%
    304.8μm
    600μm
    300μm
    330.2μm
    无
    符合RoHS标准
  • Samsung Semiconductor
    CL03C8R2CA3GNNH
    Samsung Semiconductor
    0201
    表面贴装
    WRAPAROUND
    C0G
    25V
    -55°C
    125°C
    Tape & Reel
    e3
    yes
    2
    EAR99
    30ppm/Cel ppm/°C
    Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    8532.24.00.20
    8.2pF
    300μm
    陶瓷电容器
    C0G
    有
    3.05%
    3.05%
    304.8μm
    600μm
    300μm
    330.2μm
    无
    符合RoHS标准
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