CM200DU-12F备选型号: APTGT100DA60T1G
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 引脚数量
- 配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 输入
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最大集极截止电流
- 输入电容
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
- NTC热敏电阻
- 栅极-发射极电压-最大值
- 输入电容(Cies)@Vce
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- JESD-609代码
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 功率 - 最大
- 接通时间
- 关断时间-标准值(toff)
- VCEsat-最大值
- IGBT MOD DUAL 600V 200A F SER底座安装底座安装Module7SILICON600V-40°C~150°C TJIGBTMOD™2000Discontinued1 (Unlimited)7600V590WUPPERUNSPECIFIED200A7半桥600WISOLATEDMOTOR CONTROLN-CHANNELStandard2.2V200A1mA54nF2.2V @ 15V, 200ATrench无20V54nF @ 10V符合RoHS标准------------
- IGBT MODULE 600V 150A 340W SP1Chassis Mount, Screw底座安装SP112SILICON600V-40°C~175°C TJ-2007活跃1 (Unlimited)12-340WUPPERTHROUGH-HOLE-12Single-ISOLATEDMOTOR CONTROLN-CHANNELStandard600V150A250μA6.1nF1.9V @ 15V, 100A沟渠现场停车有20V6.1nF @ 25V符合RoHS标准36 Weekse1yesEAR99锡银铜未说明未说明不合格340W180 ns370 ns1.9 V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FMG2G200US60 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 模块 | 7PM-HA | Trans IGBT Module N-CH 600V 200A 7-Pin PM-HA | 对比 | |
![]() | APTGT100H60T3G | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 模块 | SP3 | IGBT MODULE 600V 150A 340W SP3 | 对比 |
![]() | APTGT100DA60T1G | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 模块 | SP1 | IGBT MODULE 600V 150A 340W SP1 | 对比 |





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