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首页 全部分类 CMS01(TE12L,Q,M) vs SBR3U30P1-7

CMS01(TE12L,Q,M)备选型号: SBR3U30P1-7

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  • 工作温度 - 结点
  • 最大浪涌电流
  • 正向电压
  • 最大反向电压（DC）
  • 平均整流电流
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 质量
  • 二极管元件材料
  • 制造商包装标识符
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 应用
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 输出电流-最大值
  • 相位的数量
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 反向电压(直流电)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    CMS01(TE12L,Q,M)
    Toshiba Semiconductor and Storage
    DIODE SCHOTTKY 30V 3A MFLAT
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOD-128
    2
    125°C
    -40°C
    Cut Tape (CT)
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    CMS01
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Schottky
    5mA @ 30V
    370mV @ 3A
    3A
    5mA
    -40°C~125°C
    40A
    370mV
    30V
    3A
    5mA
    30V
    40A
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    SBR3U30P1-7
    Diodes Incorporated
    DIODE SBR 30V 3A POWERDI123
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    POWERDI®123
    2
    150°C
    -65°C
    Tape & Reel (TR)
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    SBR3U30
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    超屏蔽
    400μA @ 30V
    430mV @ 3A
    3A
    -
    -65°C~150°C
    -
    430mV
    30V
    3A
    400μA
    30V
    75A
    无
    ROHS3 Compliant
    Tin
    10.007382mg
    SILICON
    PowerDI123
    1
    SBR®
    e3
    no
    2
    SMD/SMT
    EAR99
    超快恢复
    HIGH RELIABILITY
    8541.10.00.80
    DUAL
    FLAT
    260
    40
    3A
    1
    75A
    30V
    980μm
    2.8mm
    1.78mm
    无SVHC
    无铅
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