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CPC3982TTR备选型号: RK7002BMT116
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- Vgs（最大值）
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 通道数量
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 无铅
MOSFET N-CH 800V SOT-236 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-30V-55°C~110°C TATape & Reel (TR)2014活跃1 (Unlimited)N-Channel380 Ω @ 20mA, 0V20pF @ 25V800V±15V耗尽模式ROHS3 Compliant-----------------------
MOSFET N-CH 60V 0.25A SST316 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3250mA Ta150°C TJTape & Reel (TR)2014活跃1 (Unlimited)N-Channel2.4 Ω @ 250mA, 10V15pF @ 25V-±20V-ROHS3 CompliantSILICON3EAR99DUAL鸥翼未说明not_compliant未说明R-PDSO-G3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE1增强型MOSFET3.5 nsSWITCHING2.3V @ 1mA5ns28 ns250mA20V0.25A3.2Ohm60V无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| RK7002BMT116 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V 0.25A SST3 | 对比 |
 | IRLML0060TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3 | 对比 |
| IRLML0030TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23-3 | 对比 |
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