CPH3205-M-TL-E备选型号: RN1423TE85LF
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- 工厂交货时间
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- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最大功率耗散
- 功率 - 最大
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 频率转换
- RoHS状态
- 引脚数
- 已出版
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 基本部件号
- 极性
- 元素配置
- 电阻基(R1)
- 电阻-发射极基极(R2)
- 辐射硬化
- Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 50V2 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-350VTape & Reel (TR)活跃1 (Unlimited)900mW900mWNPN210mV3A200 @ 100mA 2V1μA ICBO210mV @ 100mA, 2A380MHzROHS3 Compliant----------
- TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI12 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-350VTape & Reel (TR)活跃1 (Unlimited)200mW-NPN - Pre-Biased50V800mA70 @ 100mA 1V500nA250mV @ 1mA, 50mA300MHz符合RoHS标准32010150°C-55°CRN142*NPNSingle4.7 k Ω4.7 k Ω无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MMBTH24-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 | SOT-23 | Bipolar Transistors - BJT 40V 300mW | 对比 |
| RN1423TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI | 对比 |



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