CPH3215-TL-H备选型号: BC848BWT106
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- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 引脚数量
- 功率 - 最大
- 无卤素
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 频率转换
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 底架
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 终止次数
- HTS代码
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 增益带宽积
- 极性/通道类型
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 连续集电极电流
- 辐射硬化
- Bipolar Transistor, (-)30V, (-)1.5A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single CPH3ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)2 Weeks表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3330V150°C TJTape & Reel (TR)2012e6yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin/Bismuth (Sn/Bi)900mW3900mW无卤素NPN225mV1.5A200 @ 100mA 2V100nA ICBO225mV @ 15mA, 750mA500MHz40V5VROHS3 Compliant无铅-------------------
- TRANS NPN 30V 0.1A SOT-323-13 Weeks表面贴装SC-70, SOT-323330V150°C TJTape & Reel (TR)2005e1yes活跃1 (Unlimited)EAR99锡银铜200mW3--NPN30V100mA200 @ 2mA 5V100nA ICBO600mV @ 5mA, 100mA-30V5VROHS3 Compliant无铅Copper, Silver, Tin表面贴装SILICON600mV38541.21.00.7530VDUAL鸥翼260100mA10Single200MHzNPN200MHz30V100mA无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BC848BT116 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 30V 0.1A SST3 | 对比 | |
| 2SC2714-Y(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bipolar Transistors - BJT Radio-Freq Bipolar NPN 20mA 100mW 30V | 对比 | |
| BC848CT116 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 30V 0.1A SST3 | 对比 |


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