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首页 全部分类 CPH3351-TL-H vs PMF780SN,115

CPH3351-TL-H备选型号: PMF780SN,115

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  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • HTS代码
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 晶体管应用
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • DS 击穿电压-最小值
  • ON Semiconductor
    CPH3351-TL-H
    ON Semiconductor
    MOSFET SWITCHING DEVICE
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 week ago)
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    YES
    3
    SILICON
    1.8A Ta
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2010
    e6
    yes
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    DUAL
    鸥翼
    260
    not_compliant
    未说明
    3
    Single
    增强型MOSFET
    1W
    5.1 ns
    P-Channel
    250m Ω @ 1A, 10V
    无卤素
    262pF @ 20V
    6nC @ 10V
    5.4ns
    19 ns
    1.8A
    20V
    0.25Ohm
    60V
    900μm
    2.9mm
    1.6mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    PMF780SN,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 60V 570MA SOT323
    -
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    YES
    -
    SILICON
    570mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1997
    e3
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    -
    未说明
    3
    -
    增强型MOSFET
    -
    -
    N-Channel
    920m Ω @ 300mA, 10V
    -
    23pF @ 30V
    1.05nC @ 10V
    -
    -
    -
    -
    0.92Ohm
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    TrenchMOS™
    8541.29.00.75
    R-PDSO-G3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    SWITCHING
    2V @ 250μA
    60V
    ±20V
    0.57A
    60V
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