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首页 全部分类 CPH3355-TL-W vs FDN359BN

CPH3355-TL-W备选型号: FDN359BN

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  • 系列
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  • 终止次数
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  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    CPH3355-TL-W
    ON Semiconductor
    MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    7 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    2.5A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    not_compliant
    1
    4.5 ns
    P-Channel
    156m Ω @ 1A, 10V
    2.6V @ 1mA
    172pF @ 10V
    3.9nC @ 10V
    4.2ns
    30V
    ±20V
    10.6 ns
    2.5A
    20V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDN359BN
    ON Semiconductor
    N CHANNEL MOSFET, 30V, 2.7mA - More Details
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    10 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    2.7A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    7 ns
    N-Channel
    46m Ω @ 2.7A, 10V
    3V @ 250μA
    650pF @ 15V
    7nC @ 5V
    5ns
    -
    ±20V
    5 ns
    2.7mA
    20V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    30mg
    SILICON
    PowerTrench®
    e3
    3
    EAR99
    46mOhm
    Tin (Sn)
    30V
    DUAL
    鸥翼
    2.7A
    Single
    增强型MOSFET
    500mW
    SWITCHING
    30V
    1.8 V
    940μm
    2.92mm
    1.4mm
    无SVHC
    无
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