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首页 全部分类 CPH3356-TL-W vs IRLML2246TRPBF

CPH3356-TL-W备选型号: IRLML2246TRPBF

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 系列
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  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    CPH3356-TL-W
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin CPH T/R
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    6 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    SILICON
    2.5A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    DUAL
    鸥翼
    not_compliant
    R-PDSO-G3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    5.7 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    137m Ω @ 1A, 4.5V
    1.4V @ 1mA
    250pF @ 10V
    3.3nC @ 4.5V
    11ns
    20V
    ±10V
    20 ns
    2.5A
    10V
    0.137Ohm
    20V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLML2246TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23
    -
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    SILICON
    2.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    5.3 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    135m Ω @ 2.6A, 4.5V
    1.1V @ 10μA
    220pF @ 16V
    2.9nC @ 4.5V
    7.7ns
    20V
    ±12V
    16 ns
    2.6A
    12V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3
    HEXFET®
    EAR99
    236MOhm
    Matte Tin (Sn)
    Single
    1.3W
    -1.1V
    -20V
    26 ns
    -1.1 V
    1.02mm
    3.04mm
    1.4mm
    无SVHC
    无
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