CPH5517-TL-E备选型号: QSL12TR
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- 安装类型
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- 终止次数
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- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- 极性
- 配置
- 晶体管应用
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 最高频率
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 频率转换
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 底架
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- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 增益带宽积
- 连续集电极电流
- 辐射硬化
- TRANS NPN/PNP 50V 1A 5CPHACTIVE (Last Updated: 2 days ago)2 WeeksTinYESSOT-23-5 Thin, TSOT-23-5表面贴装5SILICON50V2012Tape & Reel (TR)150°C TJe6yes活跃1 (Unlimited)5EAR99900mWDUAL鸥翼5NPN, PNPCOMMON BASE, 2 ELEMENTSSWITCHINGNPN, PNP (Common Base)50V1A200 @ 100mA 2V100nA ICBO430mV @ 10mA, 500mA1MHz420MHz50V420MHz60V5V900μm2.9mm1.6mmROHS3 Compliant无铅---------
- TRANS NPN 30V 1A TSMT5-20 Weeks--SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5表面贴装5SILICON30V2005Tape & Reel (TR)150°C TJe1yes不用于新设计1 (Unlimited)5EAR99500mWDUAL鸥翼5NPN-SWITCHINGNPN + Diode (Isolated)30V1A270 @ 100mA 2V100nA ICBO350mV @ 25mA, 500mA-320MHz--30V6V---ROHS3 Compliant-表面贴装120mV锡银铜26010Single320MHz1A无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| CPH5524-TL-E | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 | ON Semi CPH5524-TL-E Dual NPN PNP Bipolar Transistor; 3 A; 50 V; 5-Pin CPH | 对比 | |
| CPH5504-TL-E | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 | Trans GP BJT NPN 50V 3A 5-Pin CPH T/R | 对比 | |
| QSL12TR | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 | TRANS NPN 30V 1A TSMT5 | 对比 |


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