CPH5524-TL-E备选型号: CPH5517-TL-E
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- 端子表面处理
- 最大功率耗散
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- Reach合规守则
- 引脚数量
- 极性
- 元素配置
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 增益带宽积
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
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- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 最高频率
- 转换频率
- 最大击穿电压
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- 发射极基极电压 (VEBO)
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 端子位置
- 配置
- 频率转换
- ON Semi CPH5524-TL-E Dual NPN PNP Bipolar Transistor; 3 A; 50 V; 5-Pin CPHACTIVE (Last Updated: 1 day ago)13 Weeks表面贴装SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5YES5SILICON50V240mV150°C TJTape & Reel (TR)2012e6yes活跃1 (Unlimited)5EAR99Tin/Bismuth (Sn/Bi)1.2W鸥翼not_compliant5NPN, PNPDual1.2WSWITCHING380MHzNPN, PNP (Emitter Coupled)50V3A200 @ 100mA 2V1μA ICBO240mV @ 100mA, 2A390MHz380MHz50V100V6V900μm2.9mm1.6mmROHS3 Compliant无铅----
- TRANS NPN/PNP 50V 1A 5CPHACTIVE (Last Updated: 2 days ago)2 Weeks表面贴装SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5YES5SILICON50V-150°C TJTape & Reel (TR)2012e6yes活跃1 (Unlimited)5EAR99-900mW鸥翼-5NPN, PNP--SWITCHING-NPN, PNP (Common Base)50V1A200 @ 100mA 2V100nA ICBO430mV @ 10mA, 500mA1MHz420MHz50V60V5V900μm2.9mm1.6mmROHS3 Compliant无铅TinDUALCOMMON BASE, 2 ELEMENTS420MHz
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| CPH5517-TL-E | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 | TRANS NPN/PNP 50V 1A 5CPH | 对比 | |
| CPH5504-TL-E | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 | Trans GP BJT NPN 50V 3A 5-Pin CPH T/R | 对比 | |
| QSZ1TR | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 | TRANS NPN/PNP 15V 2A 5TSMT | 对比 |


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