CPH5902H-TL-E备选型号: QS5K2TR
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- 应用
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- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 栅源电压
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- TRANS NPN/JFET N-CH 15V CPH5ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)2 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5550VTape & Reel (TR)2011e6yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin/Bismuth (Sn/Bi)150°C-55°CAmplifier150mA5NPNSingleNPN + FET50mA-10V900μm2.9mm1.6mmROHS3 Compliant无铅------------------------------
- MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT5-20 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-5 Thin, TSOT-23-552Tape & Reel (TR)2006e1yes活跃1 (Unlimited)EAR99锡银铜---2A5-Dual-2A12V850μm2.9mm1.6mmROHS3 Compliant无铅SILICON150°C TJ5100MOhm30V1.25W鸥翼26010*K2增强型MOSFET1.25W8 ns2 N-Channel (Dual) Common SourceSWITCHING100m Ω @ 2A, 4.5V1.5V @ 1mA175pF @ 10V3.9nC @ 4.5V10ns10 ns1.5V2A30V8AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门1.5 V无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FMY5T148 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | SC-74A, SOT-753 | TRANS NPN/PNP 120V 0.05A 5SMT | 对比 | |
| EM6M2T2R | ROHM Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | SOT-563, SOT-666 | MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6 | 对比 | |
| CPH5504-TL-E | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 | Trans GP BJT NPN 50V 3A 5-Pin CPH T/R | 对比 |


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