ROHM Semiconductor FMY5T148
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FMY5T148
2078-FMY5T148
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
SC-74A, SOT-753
大陆
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TRANS NPN/PNP 120V 0.05A 5SMT
--最小包装量--
FMY5T148详情
ROHM Semiconductor FMY5T148重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
7 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-74A, SOT-753
引脚数
5
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
120V
Collector-Emitter Saturation Voltage
500mV
Number of Elements
2
hFEMin
180
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2004
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
最大功率耗散
300mW
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
150mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
基本部件号
*MY5
引脚数量
5
极性
NPN, PNP
元素配置
Dual
晶体管应用
AMPLIFIER
增益带宽积
140MHz
晶体管类型
NPN, PNP (Emitter Coupled)
集电极发射器电压(VCEO)
120V
最大集电极电流
50mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
180 @ 100mA 2V
最大集极截止电流
500nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 1mA, 10mA
转换频率
140MHz
最大击穿电压
120V
集电极基极电压(VCBO)
120V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
连续集电极电流
50mA
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FMY5T148拓展信息







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