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首页 全部分类 CPH6021-TL-H vs 2SC5085-Y(TE85L,F)

CPH6021-TL-H备选型号: 2SC5085-Y(TE85L,F)

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  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
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  • 转换频率
  • 频率转换
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 噪音数字(分贝类型@ f)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 元素配置
  • 增益带宽积
  • 最大击穿电压
  • ON Semiconductor
    CPH6021-TL-H
    ON Semiconductor
    RF Transistor, NPN Single, 12 V, 100 mA, fT = 10 GHz
    ACTIVE (Last Updated: 2 weeks ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    SC-74, SOT-457
    YES
    6
    12V
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    700mW
    6
    Single
    700mW
    NPN
    NPN
    12V
    100mA
    60 @ 50mA 5V
    14dB @ 1GHz
    8000MHz
    10GHz
    20V
    2V
    1.2dB @ 1GHz
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    2SC5085-Y(TE85L,F)
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Trans GP BJT NPN 12V 0.08A 3-Pin SOT-23 Emboss T/R
    -
    16 Weeks
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    -
    -
    80
    125°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2011
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    100mW
    -
    -
    100mW
    NPN
    NPN
    12V
    80mA
    120 @ 20mA 10V
    11dB ~ 16.5dB
    5000MHz
    -
    20V
    3V
    1.1dB @ 1GHz
    符合RoHS标准
    -
    表面贴装
    Single
    7 GHz
    12V
  • 添加型号
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