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首页 全部分类 CPH6337-TL-W vs FDC658AP

CPH6337-TL-W备选型号: FDC658AP

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  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
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  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    CPH6337-TL-W
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 12V 3.5A CPH6
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    3.5A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    P-Channel
    70m Ω @ 1.5A, 4.5V
    1.4V @ 1mA
    405pF @ 6V
    5.6nC @ 4.5V
    12V
    ±10V
    3.5A
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDC658AP
    ON Semiconductor
    In a Pack of 5, P-Channel MOSFET, 4 A, 30 V, 6-Pin SOT-23 ON Semiconductor FDC658AP
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    4A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2017
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    P-Channel
    50m Ω @ 4A, 10V
    3V @ 250μA
    470pF @ 15V
    8.1nC @ 5V
    30V
    ±25V
    4mA
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    Tin
    6
    36mg
    SILICON
    PowerTrench®
    e3
    6
    SMD/SMT
    EAR99
    50MOhm
    DUAL
    鸥翼
    R-PDSO-G3
    1
    Single
    增强型MOSFET
    1.6W
    7 ns
    SWITCHING
    12ns
    12 ns
    -1.8V
    25V
    4A
    -30V
    -30V
    150°C
    -1.8 V
    90 pF
    900μm
    3mm
    1.7mm
    无SVHC
    无
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