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CPH6443-TL-W备选型号: FDC855N
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- Reach合规守则
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 系列
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 35V 6A CPH6ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)4 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-66A Ta150°C TJTape & Reel (TR)2012yes活跃1 (Unlimited)not_compliantN-Channel37m Ω @ 3A, 10V2.6V @ 1mA470pF @ 20V10nC @ 10V35V±20V6AROHS3 Compliant无铅----------------------------
MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOTACTIVE (Last Updated: 2 days ago)13 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-66.1A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2007yes活跃1 (Unlimited)-N-Channel27m Ω @ 6.1A, 10V3V @ 250μA655pF @ 15V13nC @ 10V-±20V6.1AROHS3 Compliant无铅636mgSILICONPowerTrench®e36EAR9927MOhmTin (Sn)DUAL鸥翼Single增强型MOSFET1.6W6 nsSWITCHING2ns2 ns2V20V30V2 V95 pF1mm3mm1.7mm无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDC855N | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT | 对比 |
 | DMG6402LVT-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26 | 对比 |
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