CPH6531-TL-E备选型号: FMB200
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- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 最高频率
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- 高度
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- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
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- 元素配置
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 增益带宽积
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 辐射硬化
- Trans GP BJT PNP 50V 1A 6-Pin CPH T/RLAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)2 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6650V-380mV150°C TJTape & Reel (TR)2012e6yesObsolete1 (Unlimited)EAR99Tin/Bismuth (Sn/Bi)1.1W6PNP2 PNP (Dual)50V1A200 @ 100mA 2V100nA ICBO380mV @ 10mA, 500mA420MHz420MHz-50V-5V900μm2.9mm1.6mm符合RoHS标准无铅---------------
- Bipolar Transistors - BJT PNP Multi-Chip Trans General PurposeLIFETIME (Last Updated: 5 days ago)28 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6645V400mV-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2017e3yesObsolete1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)700mW-PNP2 PNP (Dual)45V500mA100 @ 150mA 5V50nA400mV @ 20mA, 200mA---60V-6V1mm3mm1.7mmROHS3 Compliant无铅36mgSILICON6-45V鸥翼-500mA300MHzFMB200Dual700mWAMPLIFIER300MHz300MHz45V无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FMB200 | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Bipolar Transistors - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose | 对比 | |
![]() | DMG204010R | Panasonic Electronic Components | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | SOT-23-6 | DMG204010R Dual NPN PNP Bipolar Transistor; 0.1 A; 50 V; 6-Pin Mini6 G4 B | 对比 |
![]() | DMA206010R | Panasonic Electronic Components | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | SOT-23-6 | TRANS DUAL PNP 50V 100MA MINI6 | 对比 |



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