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首页 全部分类 CSD13302W vs DMP1022UFDE-7

CSD13302W备选型号: DMP1022UFDE-7

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    CSD13302W
    Texas Instruments
    CSD13302W 12 V N-Channel NexFET? Power MOSFET 4-DSBGA
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    6 Weeks
    Copper, Silver, Tin
    表面贴装
    表面贴装
    4-UFBGA, DSBGA
    4
    SILICON
    1.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    超低电阻
    BOTTOM
    BALL
    CSD13302
    Single
    增强型MOSFET
    6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    17.1m Ω @ 1A, 4.5V
    1.3V @ 250μA
    862pF @ 6V
    7.8nC @ 4.5V
    7ns
    12V
    ±10V
    7 ns
    1.6A
    10V
    0.0285Ohm
    29A
    12V
    196 pF
    625μm
    0m
    0m
    650μm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMP1022UFDE-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
    -
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    6
    SILICON
    9.1A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    e4
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    20 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    16m Ω @ 8.2A, 4.5V
    800mV @ 250μA
    2953pF @ 4V
    42.6nC @ 5V
    28ns
    12V
    ±8V
    93 ns
    9.1A
    8V
    -
    -
    -
    -
    580μm
    2.05mm
    2.05mm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2012
    260
    40
    6
    S-PDSO-N3
    2
    2.03W
    DRAIN
    无SVHC
    无
  • 添加型号
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DMP1022UFDE-7 DMP1022UFDE-7 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 6-UDFN Exposed Pad MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN 对比