CSD13302WT备选型号: MCH6662-TL-W

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 场效应管特性
  • Texas Instruments
    Trans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    6 Weeks
    Copper, Silver, Tin
    表面贴装
    表面贴装
    4-UFBGA, DSBGA
    4
    SILICON
    1.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    超低电阻
    BOTTOM
    BALL
    CSD13302
    Single
    增强型MOSFET
    6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    17.1m Ω @ 1A, 4.5V
    1.3V @ 250μA
    862pF @ 6V
    7.8nC @ 4.5V
    7ns
    12V
    ±10V
    7 ns
    1.6A
    10V
    0.0285Ohm
    29A
    12V
    196 pF
    625μm
    0m
    0m
    650μm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 20V 2A MCPH6
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    6 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    6-SMD, Flat Leads
    6
    -
    14.5 ns
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    5.1 ns
    2 N-Channel (Dual)
    -
    160m Ω @ 1A, 4.5V
    1.3V @ 1mA
    128pF @ 10V
    1.8nC @ 4.5V
    11ns
    20V
    -
    12 ns
    2A
    10V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2007
    800mW
    未说明
    未说明
    Logic Level Gate, 1.8V Drive
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