MCH6662-TL-W
MCH6662-TL-W

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ON Semiconductor MCH6662-TL-W

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型号

MCH6662-TL-W

utmel 编号

1807-MCH6662-TL-W

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

6-SMD, Flat Leads

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET 2N-CH 20V 2A MCPH6

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MCH6662-TL-W
MCH6662-TL-W ON Semiconductor MOSFET 2N-CH 20V 2A MCPH6

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MCH6662-TL-W详情

ON Semiconductor MCH6662-TL-W重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    6 Weeks

  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

  • 包装/外壳

    6-SMD, Flat Leads

  • 安装类型

    表面贴装

  • 底架

    表面贴装

  • 引脚数

    6

  • Turn Off Delay Time

    14.5 ns

  • 已出版

    2007

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 操作温度

    150°C TJ

  • JESD-609代码

    e6

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 端子表面处理

    Tin/Bismuth (Sn/Bi)

  • 最大功率耗散

    800mW

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 接通延迟时间

    5.1 ns

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    160m Ω @ 1A, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1.3V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    128pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    1.8nC @ 4.5V

  • 上升时间

    11ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    20V

  • 下降时间(典型值)

    12 ns

  • 连续放电电流(ID)

    2A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    10V

  • 场效应管特性

    Logic Level Gate, 1.8V Drive

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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技术文档: ON Semiconductor MCH6662-TL-W.

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右边的3个型号有着和ON Semiconductor & MCH6662-TL-W相似的参数规格。

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MCH6662-TL-W拓展信息

FDG6301N
FDG6301N

ON Semiconductor

NDC7001C
NDC7001C

ON Semiconductor

FDS4935BZ
FDS4935BZ

ON Semiconductor

FDC6303N
FDC6303N

ON Semiconductor

FDC6301N
FDC6301N

ON Semiconductor

FDS8958A
FDS8958A

ON Semiconductor

FDC6333C
FDC6333C

ON Semiconductor

FDS4935A
FDS4935A

ON Semiconductor

FDG8850NZ
FDG8850NZ

ON Semiconductor

FDS6898A
FDS6898A

ON Semiconductor

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