CSD15571Q2备选型号: IRFHS8242TRPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 电阻
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    Trans MOSFET N-CH 20V 22A 6-Pin SON EP T/R
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    6 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    6-WDFN Exposed Pad
    6
    SILICON
    22A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    雪崩 额定
    DUAL
    无铅
    260
    未说明
    CSD15571
    1
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    17.2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    15m Ω @ 5A, 10V
    1.9V @ 250μA
    419pF @ 10V
    6.7nC @ 10V
    17.2ns
    ±20V
    4.1 ns
    22A
    20V
    20V
    2mm
    2mm
    750μm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 9.9A PQFN
    -
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    6-PowerVDFN
    6
    SILICON
    9.9A Ta 21A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    DUAL
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    2.1W
    DRAIN
    6.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    13m Ω @ 8.5A, 10V
    2.35V @ 25μA
    653pF @ 10V
    10.4nC @ 10V
    19ns
    ±20V
    5.3 ns
    9.9A
    20V
    25V
    2.1mm
    2.1mm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2010
    13MOhm
    8.5A
    84A
    1.8 V
    950μm
    无SVHC
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