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首页 全部分类 CSD16340Q3 vs FDD3706

CSD16340Q3备选型号: FDD3706

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 栅源电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 已出版
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Texas Instruments
    CSD16340Q3
    Texas Instruments
    Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    21A Ta 60A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    雪崩 额定
    DUAL
    260
    CSD16340
    8
    Single
    增强型MOSFET
    3W
    DRAIN
    4.8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.5m Ω @ 20A, 8V
    1.1V @ 250μA
    1350pF @ 12.5V
    9.2nC @ 4.5V
    16.1ns
    25V
    +10V, -8V
    5.2 ns
    60A
    850mV
    10V
    25V
    850 mV
    69 pF
    1.1mm
    3.3mm
    3.3mm
    1mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD3706
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 20V 14.7A 3-Pin(2 Tab) TO-252AA T/R
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    10 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    14.7A Ta 50A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    -
    未说明
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    3.8W
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9m Ω @ 16.2A, 10V
    1.5V @ 250μA
    1882pF @ 10V
    23nC @ 4.5V
    15ns
    -
    ±12V
    16 ns
    50A
    1V
    12V
    -
    -
    -
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    -
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    260.37mg
    2002
    Tin (Sn)
    20V
    鸥翼
    not_compliant
    50A
    未说明
    R-PSSO-G2
    不合格
    0.009Ohm
    20V
    60A
    60 mJ
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FDD3706 FDD3706 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Trans MOSFET N-CH 20V 14.7A 3-Pin(2 Tab) TO-252AA T/R 对比