CSD16342Q5A备选型号: PSMN3R7-25YLC,115

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • Reach合规守则
  • 引脚数量
  • 源Url状态检查日期
  • Texas Instruments
    MOSFET N-Channel NexFET Power MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    16 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    雪崩 额定
    DUAL
    260
    CSD16342
    Single
    增强型MOSFET
    3W
    DRAIN
    5.2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.7m Ω @ 20A, 8V
    1.1V @ 250μA
    1350pF @ 12.5V
    7.1nC @ 4.5V
    16.6ns
    25V
    +10V, -8V
    3.1 ns
    100A
    850mV
    10V
    25V
    69 pF
    1.1mm
    4.9mm
    6mm
    1mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 25V 97A LFPAK
    -
    -
    -
    -
    表面贴装
    SC-100, SOT-669
    -
    -
    97A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    3.9m Ω @ 20A, 10V
    1.95V @ 1mA
    1585pF @ 12V
    21.6nC @ 10V
    -
    25V
    ±20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    2011
    not_compliant
    4
    2013-06-14 00:00:00
  • 添加型号
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