CSD16406Q3备选型号: IRFH3702TR2PBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 供应商器件包装
- 已出版
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 漏源电压 (Vdss)
- 输入电容
- 恢复时间
- 漏源电阻
- 最大rds
- 高度
- Trans MOSFET N-CH 25V 19A 8-Pin SON EP T/RACTIVE (Last Updated: 2 days ago)12 WeeksTin表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON19A Ta 60A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)NexFET™e3yes活跃1 (Unlimited)5SMD/SMTEAR99雪崩 额定DUAL260CSD164068Single增强型MOSFET2.7WDRAIN7.3 nsN-ChannelSWITCHING5.3m Ω @ 20A, 10V2.2V @ 250μA1100pF @ 12.5V8.1nC @ 4.5V12.9ns+16V, -12V4.8 ns60A1.7V16V0.0074Ohm25V25V1.7 V3.3mm3.3mm1mm无SVHC无ROHS3 Compliant含铅------------
- MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN---表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8-16A Ta 42A Tc-Cut Tape (CT)HEXFET®--Obsolete1 (Unlimited)--------Single-2.8W-9.6 nsN-Channel-7.1mOhm @ 16A, 10V2.35V @ 25μA1510pF @ 15V14nC @ 4.5V15ns-5.8 ns16A-20V-30V-1.8 V2.9972mm2.9972mm-无SVHC无符合RoHS标准无铅8-PQFN (3x3)20107.1MOhm150°C-55°C2.8W30V1.51nF26 ns7.1mOhm7.1 mΩ939.8μm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFH8334TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 44A 5X6 PQFN | 对比 |
![]() | IRFH3702TR2PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN | 对比 |
![]() | IRFH4226TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 25V 70A PQFN 5X6 | 对比 |





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