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首页 全部分类 CSD16407Q5C vs PSMN2R0-25MLDX

CSD16407Q5C备选型号: PSMN2R0-25MLDX

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  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
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  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 已出版
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管特性
  • Texas Instruments
    CSD16407Q5C
    Texas Instruments
    Trans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin SON EP T/R
    NRND (Last Updated: 4 weeks ago)
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    31A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    雪崩 额定
    DUAL
    无铅
    260
    未说明
    CSD16407
    8
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    3.1W
    DRAIN
    11.9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.4m Ω @ 25A, 10V
    1.9V @ 250μA
    2660pF @ 12.5V
    18nC @ 4.5V
    18.4ns
    25V
    +16V, -12V
    9 ns
    100A
    16V
    0.0033Ohm
    200A
    25V
    1.6 V
    1.05mm
    5mm
    6mm
    1mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Nexperia USA Inc.
    PSMN2R0-25MLDX
    Nexperia USA Inc.
    PSMN2R0-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-1210, 8-LFPAK33
    -
    SILICON
    70A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    -
    HIGH RELIABILITY
    SINGLE
    鸥翼
    -
    -
    -
    8
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    2.27m Ω @ 25A, 10V
    2.2V @ 1mA
    2490pF @ 12V
    34.4nC @ 10V
    -
    25V
    ±20V
    -
    70A
    -
    0.00306Ohm
    555A
    25V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    26 Weeks
    2016
    IEC-60134
    R-PSSO-G4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    361 mJ
    Schottky Diode (Body)
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