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首页 全部分类 CSD16410Q5A vs IRFH3702TRPBF

CSD16410Q5A备选型号: IRFH3702TRPBF

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  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
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  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • Texas Instruments
    CSD16410Q5A
    Texas Instruments
    the nexfet power mosfet has been designed to minimize losses in power conversion applications.
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    6 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    16A Ta 59A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    SMD/SMT
    EAR99
    雪崩 额定
    DUAL
    260
    CSD16410
    8
    Single
    增强型MOSFET
    3W
    DRAIN
    6.2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    8.5m Ω @ 17A, 10V
    2.3V @ 250μA
    740pF @ 12.5V
    5nC @ 4.5V
    10.7ns
    +16V, -12V
    3.6 ns
    59A
    1.9V
    16V
    25V
    25V
    1.9 V
    52 pF
    4.9mm
    6mm
    1mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH3702TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
    -
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    16A Ta 42A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    SMD/SMT
    EAR99
    -
    DUAL
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    2.8W
    DRAIN
    9.6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    7.1m Ω @ 16A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1510pF @ 15V
    14nC @ 4.5V
    15ns
    ±20V
    5.8 ns
    16A
    1.8V
    20V
    30V
    30V
    1.8 V
    -
    2.9972mm
    2.9972mm
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    2009
    S-PDSO-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    0.0071Ohm
    120A
    77 mJ
    939.8μm
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