CSD17301Q5A备选型号: FDMS8820
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 终端形式
- JESD-30代码
- JEDEC-95代码
- 雪崩能量等级(Eas)
- MOSFET 30V N Channel NexFET Pwr MOSFETACTIVE (Last Updated: 5 days ago)6 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON28A Ta 100A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)NexFET™e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99Matte Tin (Sn)雪崩 额定DUAL260CSD173018Single增强型MOSFET3.2WDRAIN10.7 nsN-ChannelSWITCHING2.6m Ω @ 25A, 8V1.55V @ 250μA3480pF @ 15V25nC @ 4.5V16.2ns+10V, -8V10.5 ns100A1.1V10V0.0037Ohm30V1.1 V1.1mm4.9mm6mm1mm无SVHC无ROHS3 Compliant含铅-----
- MOSFET NCh 30V 116A 2.4mOhmACTIVE (Last Updated: 4 days ago)18 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON28A Ta 116A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99Tin (Sn)-DUAL---Single增强型MOSFET78WDRAIN14 nsN-ChannelSWITCHING2m Ω @ 28A, 10V2.5V @ 250μA5315pF @ 15V88nC @ 10V16ns±20V13 ns116A-20V0.002Ohm30V-1.05mm5mm6mm--无ROHS3 Compliant无铅68.1mgFLATR-PDSO-F5MO-240AA294 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFH8318TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 50A 5X6 PQFN | 对比 |
| FDMS8820 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET NCh 30V 116A 2.4mOhm | 对比 | |
![]() | IRFH8318TR2PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 21A 5X6 PQFN | 对比 |




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