CSD17307Q5A备选型号: PSMN8R0-30YLC,115

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 栅源电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Texas Instruments
    MOSFET N-CH 30V 73A 8SON
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    14A Ta 73A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    雪崩 额定
    DUAL
    260
    CSD17307
    8
    Single
    增强型MOSFET
    3W
    DRAIN
    4.6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    10.5m Ω @ 11A, 8V
    1.8V @ 250μA
    700pF @ 15V
    5.2nC @ 4.5V
    6.7ns
    +10V, -8V
    2.6 ns
    73A
    1.3V
    10V
    0.0173Ohm
    30V
    92A
    54 mJ
    1.3 V
    36 pF
    1.1mm
    4.9mm
    6mm
    1mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    MOSFET N-chnl30V7.9m logic lvl MOSFET in LFPAK
    -
    -
    -
    -
    表面贴装
    SC-100, SOT-669
    -
    -
    54A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    7.9m Ω @ 15A, 10V
    1.95V @ 1mA
    848pF @ 15V
    15nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    2013
    30V
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