CSD17308Q3T备选型号: FDD6680AS
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- Reach合规守则
- 基本部件号
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 已出版
- 终端
- ECCN 代码
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- JESD-30代码
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 30V 50AACTIVE (Last Updated: 3 days ago)6 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON14A Ta 44A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)NexFET™e3yes活跃1 (Unlimited)5Matte Tin (Sn)雪崩 额定DUAL无铅not_compliantCSD17308Single增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING10.3m Ω @ 10A, 8V1.8V @ 250μA700pF @ 15V5.1nC @ 4.5V30V+10V, -8V44A1.3V14A0.0165Ohm167A30V65 mJ35 pF3.3mm3.3mm1mm无SVHCROHS3 Compliant含铅-----------------
- MOSFET 30V NCH DPAK POWR TRENCHACTIVE (Last Updated: 16 hours ago)10 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON55A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®, SyncFET™e3yes活跃1 (Unlimited)2Tin (Sn)--鸥翼-FDD6680Single增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING10.5m Ω @ 12.5A, 10V3V @ 1mA1200pF @ 15V29nC @ 10V-±20V55A1.4V----205 mJ-6.73mm6.22mm-无SVHCROHS3 Compliant无铅260.37mg2004SMD/SMTEAR9930V55AR-PSSO-G260mW10 ns6ns12 ns20V30V30V1.4 V2.39mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
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