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首页 全部分类 CSD17313Q2 vs MCH3333A-TL-W

CSD17313Q2备选型号: MCH3333A-TL-W

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  • JESD-609代码
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • Reach合规守则
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Texas Instruments
    CSD17313Q2
    Texas Instruments
    TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2 - MOSFET Transistor, N Channel, 5 A, 30 V, 0.024 ohm, 8 V, 1.3 V
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-WDFN Exposed Pad
    6
    SILICON
    5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    DUAL
    260
    CSD17313
    8
    Single
    增强型MOSFET
    2.3W
    DRAIN
    2.8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    30m Ω @ 4A, 8V
    1.8V @ 250μA
    340pF @ 15V
    2.7nC @ 4.5V
    3.9ns
    +10V, -8V
    1.3 ns
    5A
    1.3V
    10V
    5A
    0.042Ohm
    30V
    20A
    800μm
    2mm
    2mm
    750μm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MCH3333A-TL-W
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 30V 2A MCPH3
    ACTIVE (Last Updated: 8 hours ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-SMD, Flat Lead
    70
    -
    2A Ta
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    -
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    5.7 ns
    P-Channel
    -
    215m Ω @ 1A, 4V
    1.3V @ 1mA
    240pF @ 10V
    2.8nC @ 4V
    9.7ns
    ±10V
    16 ns
    2A
    -1.3V
    10V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2017
    not_compliant
    30V
  • 添加型号
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