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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.696622
10
¥1.600587
100
¥1.509989
500
¥1.424521
1000
¥1.343883
ON Semiconductor MCH6436-TL-W
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- 对比
MCH6436-TL-W
1807-MCH6436-TL-W
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-SMD, Flat Leads
大陆
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MOSFET N-CH 30V 6A MCPH6
--最小包装量--
¥
总价: ¥
MCH6436-TL-W详情
ON Semiconductor MCH6436-TL-W重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
5 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-SMD, Flat Leads
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
6A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.5W Ta
Turn Off Delay Time
70 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e6
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
端子表面处理
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
附加功能
防静电
端子位置
DUAL
Reach合规守则
not_compliant
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
11 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
34m Ω @ 3A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.3V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
710pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
7.5nC @ 4.5V
上升时间
33ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
52 ns
连续放电电流(ID)
6A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
6A
漏极-源极导通最大电阻
0.034Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
24A
DS 击穿电压-最小值
30V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MCH6436-TL-W拓展信息
ON Semiconductor
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