CSD17551Q3A备选型号: FDS6298
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 基本部件号
- 配置
- 通道数量
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度(Tj)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 已出版
- 终端
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- MOSFET N-CH 30V 12A 8VSONACTIVE (Last Updated: 4 days ago)12 WeeksTin表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8SILICON12A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)NexFET™e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99雪崩 额定DUALFLAT260CSD17551SINGLE WITH BUILT-IN DIODE1增强型MOSFET2.6WDRAIN8 nsN-ChannelSWITCHING9m Ω @ 11A, 10V2.1V @ 250μA1370pF @ 15V7.8nC @ 4.5V24ns±20V3.4 ns12A1.6V20V30V150°C1.6 V900μm3.3mm3.3mm800μmUnknown无ROHS3 Compliant无铅----------
- MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOICACTIVE (Last Updated: 1 day ago)18 Weeks-表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON13A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e3yes活跃1 (Unlimited)8EAR99快速切换DUAL鸥翼----增强型MOSFET3W-11 nsN-ChannelSWITCHING9m Ω @ 13A, 10V3V @ 250μA1108pF @ 15V14nC @ 5V5ns±20V7 ns13A1.7V20V30V-1.7 V1.5mm5mm4mm-无SVHC无ROHS3 Compliant无铅130mg2007SMD/SMT15MOhmTin (Sn)30V13ASingle50A30V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF8714PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Single N-Channel 30 V 13 mOhm 12 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8 | 对比 |
| FDS6298 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC | 对比 | |
| FDMS7692A | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET PT7 30/20V Nch PowerTrench | 对比 |




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