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首页 全部分类 CSD17553Q5A vs NTMFS4898NFT1G

CSD17553Q5A备选型号: NTMFS4898NFT1G

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  • 端子表面处理
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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
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  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
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  • 宽度
  • 器件厚度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
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  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 引脚数量
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    CSD17553Q5A
    Texas Instruments
    MOSFET N-CH 30V 23.5A 8SON
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    23.5A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    DUAL
    无铅
    260
    not_compliant
    未说明
    CSD17553
    Single
    增强型MOSFET
    3.1W
    DRAIN
    9.7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.1m Ω @ 20A, 10V
    1.9V @ 250μA
    3252pF @ 15V
    21.5nC @ 4.5V
    17ns
    30V
    ±20V
    5.2 ns
    100A
    20V
    23.5A
    0.004Ohm
    30V
    60 pF
    1.1mm
    4.9mm
    6mm
    1mm
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTMFS4898NFT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET NFET SO8FL 30V 120A 3MOHM
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN, 5 Leads
    5
    -
    13.2A Ta 117A Tc
    -
    Cut Tape (CT)
    -
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    DUAL
    FLAT
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    73.5W
    DRAIN
    17.6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3m Ω @ 30A, 10V
    2.5V @ 1mA
    3233pF @ 12V
    49.5nC @ 10V
    23ns
    -
    -
    8.3 ns
    13.2A
    20V
    -
    -
    -
    -
    1.1mm
    5.1mm
    6.1mm
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    2010
    3MOhm
    150°C
    -55°C
    930mW
    5
    30V
    234A
    228 mJ
    无
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