CSD17555Q5A备选型号: FDMS8820
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 基本部件号
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 质量
- 端子表面处理
- 终端形式
- JESD-30代码
- 元素配置
- JEDEC-95代码
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- MOSFET 30V N-ch NexFET Pwr MOSFETACTIVE (Last Updated: 3 days ago)Tin表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON24A Ta 100A Tc-55°C~150°C TJCut Tape (CT)NexFET™e3yesDiscontinued1 (Unlimited)5EAR99雪崩 额定DUAL260CSD17555SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET3WDRAIN14 nsN-ChannelSWITCHING2.7m Ω @ 25A, 10V1.9V @ 250μA4650pF @ 15V28nC @ 4.5V18ns30V±20V5.3 ns100A20V24A0.0034Ohm30V4.9mm6mm1mm无ROHS3 Compliant含铅----------
- MOSFET NCh 30V 116A 2.4mOhmACTIVE (Last Updated: 4 days ago)-表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON28A Ta 116A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99-DUAL---增强型MOSFET78WDRAIN14 nsN-ChannelSWITCHING2m Ω @ 28A, 10V2.5V @ 250μA5315pF @ 15V88nC @ 10V16ns-±20V13 ns116A20V-0.002Ohm-5mm6mm-无ROHS3 Compliant无铅18 Weeks68.1mgTin (Sn)FLATR-PDSO-F5SingleMO-240AA30V294 mJ1.05mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFH8318TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 50A 5X6 PQFN | 对比 |
![]() | BSC025N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP | 对比 |
| FDMS8820 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET NCh 30V 116A 2.4mOhm | 对比 |




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