CSD17556Q5BT备选型号: IRFS7434TRL7PP
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- ECCN 代码
- 配置
- 功率耗散
- 辐射硬化
- This 30 V, 1.2 m, 56 mm NexFET power MOSFET is designed to minimize losses in synchronous rectification and other power conversion applications.ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)6 WeeksTin表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON100A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)NexFET™e3yes活跃1 (Unlimited)5雪崩 额定DUAL无铅260not_compliant未说明CSD17556Single增强型MOSFETDRAIN14 nsN-ChannelSWITCHING1.4m Ω @ 40A, 10V1.65V @ 250μA7020pF @ 15V39nC @ 4.5V26ns30V±20V12 ns215A20V34A214A30V500 mJ5mm6mm950μmROHS3 Compliant含铅-----
- MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7-12 Weeks-表面贴装表面贴装TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)7-240A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®, StrongIRFET™--活跃1 (Unlimited)---------增强型MOSFET-23 nsN-Channel-1m Ω @ 100A, 10V3.9V @ 250μA10250pF @ 25V315nC @ 10V125ns40V±20V85 ns240A20V-------ROHS3 Compliant无铅2013EAR99Single245W无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF7480MTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | DirectFET™ Isometric ME | On a Reel of 4800, N-Channel MOSFET, 330 A, 40 V, 6 Tab-Pin ME Infineon IRF7480MTRPBF | 对比 |
| NVMFS5C612NLT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | Single N-Channel Power MOSFET 60V, 235A, 1.5mO 1500 / Tape & Reel | 对比 | |
![]() | STL220N3LLH7 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET POWER MOSFET | 对比 |






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