ON Semiconductor NVMFS5C612NLT1G
- 收藏
- 对比
NVMFS5C612NLT1G
1807-NVMFS5C612NLT1G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
大陆
立即发货

Single N-Channel Power MOSFET 60V, 235A, 1.5mO 1500 / Tape & Reel
--最小包装量--
NVMFS5C612NLT1G详情
ON Semiconductor NVMFS5C612NLT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
38 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
36A Ta 235A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
3.8W Ta 167W Tc
Turn Off Delay Time
47 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2015
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
Reach合规守则
not_compliant
配置
Single
通道数量
1
接通延迟时间
19 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.5m Ω @ 50A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
6660pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
91nC @ 10V
上升时间
51ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
18 ns
连续放电电流(ID)
235A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
60V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NVMFS5C612NLT1G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor








哦! 它是空的。