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首页 全部分类 CSD17573Q5BT vs IRFH8318TR2PBF

CSD17573Q5BT备选型号: IRFH8318TR2PBF

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  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 已出版
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  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 恢复时间
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • Texas Instruments
    CSD17573Q5BT
    Texas Instruments
    MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    6 Weeks
    Gold
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    100A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    雪崩 额定
    DUAL
    无铅
    260
    not_compliant
    未说明
    CSD17573
    Single
    增强型MOSFET
    3.2W
    DRAIN
    6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1m Ω @ 35A, 10V
    1.8V @ 250μA
    9000pF @ 15V
    64nC @ 4.5V
    20ns
    30V
    ±20V
    7 ns
    100A
    20V
    43A
    400A
    30V
    390 pF
    5mm
    6mm
    950μm
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH8318TR2PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 21A 5X6 PQFN
    -
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    18 ns
    -
    Cut Tape (CT)
    HEXFET®
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    3.6W
    -
    15 ns
    N-Channel
    -
    3.1mOhm @ 20A, 10V
    2.35V @ 50μA
    3180pF @ 10V
    41nC @ 10V
    33ns
    30V
    -
    12 ns
    27A
    20V
    -
    -
    -
    -
    5.85mm
    5mm
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    PQFN (5x6)
    2008
    3.1MOhm
    150°C
    -55°C
    3.6W
    1.8V
    30V
    3.18nF
    24 ns
    3.1mOhm
    3.1 mΩ
    1.8 V
    1.17mm
    无
    无SVHC
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