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CSD18502Q5B备选型号: IRF6616TRPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 基本部件号
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- JESD-30代码
- 配置
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 40V 100A 8VSONACTIVE (Last Updated: 1 day ago)6 WeeksTin表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON26A Ta 100A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)NexFET™e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLEDUAL260CSD18502Single增强型MOSFET3.2WDRAIN5.3 nsN-ChannelSWITCHING2.3m Ω @ 30A, 10V2.2V @ 250μA5070pF @ 20V68nC @ 10V6.8ns±20V4 ns100A1.8V20V26A0.0033Ohm40V27 pF1.05mm5mm6mm950μm无SVHC无ROHS3 Compliant含铅-------
MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET-12 Weeks-表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric MX5SILICON21 ns-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®e1-活跃1 (Unlimited)3EAR99-BOTTOM---增强型MOSFET89WDRAIN15 nsN-ChannelSWITCHING5m Ω @ 19A, 10V2.25V @ 250μA3765pF @ 20V44nC @ 4.5V19ns±20V4.4 ns15A1.8V20V--40V-508μm6.35mm5.0546mm-无SVHC无ROHS3 Compliant无铅2007Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)30V19AR-XBCC-N3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE36 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STB100NF04T4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-Ch 40 Volt 120 Amp | 对比 |
 | IRFH7932TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56 | 对比 |
| IRFH5301TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | INFINEON IRFH5301TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 30 V, 0.00155 ohm, 10 V, 1.8 VNew | 对比 |
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