Infineon Technologies IRFH5301TRPBF
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IRFH5301TRPBF
1211-IRFH5301TRPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerVDFN
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INFINEON IRFH5301TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 30 V, 0.00155 ohm, 10 V, 1.8 VNew
--最小包装量--
IRFH5301TRPBF详情
Infineon Technologies IRFH5301TRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerVDFN
引脚数
8
供应商器件包装
PQFN (5x6) Single Die
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
35A Ta 100A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
3.6W Ta 110W Tc
Turn Off Delay Time
22 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2009
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电阻
1.85MOhm
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
功率耗散
110W
接通延迟时间
21 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.85mOhm @ 50A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.35V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5114pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
77nC @ 10V
上升时间
78ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
23 ns
连续放电电流(ID)
100A
阈值电压
1.8V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
输入电容
5.114nF
漏源电阻
1.55mOhm
最大rds
1.85 mΩ
栅源电压
1.8 V
高度
850μm
长度
6mm
宽度
5mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IRFH5301TRPBF拓展信息
Infineon Technologies
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