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首页 全部分类 CSD18504Q5A vs BSC886N03LSGATMA1

CSD18504Q5A备选型号: BSC886N03LSGATMA1

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  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
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  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 已出版
  • 终端形式
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • Texas Instruments
    CSD18504Q5A
    Texas Instruments
    MOSFET N-CH 40V 8SON
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    15A Ta 50A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    NexFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    DUAL
    260
    CSD18504
    1
    Single
    增强型MOSFET
    3.1W
    DRAIN
    3.2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6.6m Ω @ 17A, 10V
    2.4V @ 250μA
    1656pF @ 20V
    19nC @ 10V
    6.8ns
    ±20V
    2 ns
    15A
    1.9V
    20V
    50A
    40V
    275A
    92 mJ
    150°C
    9.6 pF
    1.1mm
    4.9mm
    6mm
    1mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC886N03LSGATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8
    -
    26 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    13A Ta 65A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
    DUAL
    未说明
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    4.2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    2100pF @ 15V
    26nC @ 10V
    3.2ns
    ±20V
    3 ns
    65A
    2.2V
    20V
    -
    -
    260A
    20 mJ
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    2011
    无铅
    未说明
    R-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    30V
    0.0092Ohm
    30V
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