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首页 全部分类 CSD18504Q5AT vs FDD8896

CSD18504Q5AT备选型号: FDD8896

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
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  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 已出版
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • JESD-30代码
  • 功率耗散
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    CSD18504Q5AT
    Texas Instruments
    This 5.3 m, SON 56 mm, 40 V NexFET power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    50A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    DUAL
    无铅
    260
    not_compliant
    未说明
    CSD18504
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    3.2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6.6m Ω @ 17A, 10V
    2.4V @ 250μA
    1656pF @ 20V
    9.2nC @ 4.5V
    6.8ns
    40V
    ±20V
    2 ns
    75A
    20V
    15A
    40V
    92 mJ
    9.6 pF
    4.9mm
    6mm
    1mm
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD8896
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2 Tab) TO-252AA T/R
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    10 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    17A Ta 94A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    -
    -
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5.7m Ω @ 35A, 10V
    2.5V @ 250μA
    2525pF @ 15V
    60nC @ 10V
    106ns
    -
    ±20V
    41 ns
    94A
    20V
    -
    -
    -
    -
    6.73mm
    6.22mm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    260.37mg
    2017
    EAR99
    5.7MOhm
    30V
    94A
    R-PSSO-G2
    80W
    2.5V
    TO-252AA
    30V
    2.39mm
    无SVHC
    无
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