CSD18536KCS备选型号: IPP052N06L3GXKSA1
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- 端子位置
- 资历状况
- 配置
- 无卤素
- JEDEC-95代码
- 最大双电源电压
- Trans MOSFET N-CH 60V 349A 3-Pin TO-220 TubeACTIVE (Last Updated: 2 days ago)12 WeeksCopper, Tin通孔通孔TO-220-33SILICON200A Ta-55°C~175°C TJTubeNexFET™e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn)雪崩 额定未说明not_compliant未说明CSD185363Single增强型MOSFETDRAIN8 nsN-ChannelSWITCHING1.6m Ω @ 100A, 10V2.2V @ 250μA11430pF @ 30V108nC @ 10V17ns60V±20V12 ns200A20V0.0022Ohm400A60V819 mJ51 pF4.7mm10.16mm8.7mm4.58mmROHS3 Compliant含铅-------
- Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3 Tab) TO-220-13 Weeks-通孔通孔TO-220-33SILICON80A Tc-55°C~175°C TJTubeOptiMOS™e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)逻辑电平兼容未说明-未说明-3-增强型MOSFET-11 nsN-ChannelSWITCHING5m Ω @ 80A, 10V2.2V @ 58μA8400pF @ 30V50nC @ 4.5V5ns-±20V12 ns80A20V0.005Ohm--77 mJ-----ROHS3 Compliant无铅2008SINGLE不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE无卤素TO-220AB60V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPP040N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | INFINEON - IPP040N06N3GXKSA1 - MOSFET, N CH, 90A, 60V, PG-TO220-3 | 对比 |
| FDP030N06 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 60V 120A TO220 | 对比 | |
![]() | IPP052N06L3GXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3 Tab) TO-220 | 对比 |




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