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首页 全部分类 CSD19505KCS vs FDP047N08

CSD19505KCS备选型号: FDP047N08

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  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
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  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • JEDEC-95代码
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    CSD19505KCS
    Texas Instruments
    MOSFET N-CH 80V 150A TO-220
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    12 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    6.000006g
    SILICON
    150A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    NexFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    雪崩 额定
    未说明
    not_compliant
    未说明
    CSD19505
    1
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    DRAIN
    31 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.8m Ω @ 100A, 6V
    3.2V @ 250μA
    7820pF @ 40V
    76nC @ 10V
    16ns
    ±20V
    6 ns
    150A
    2.6V
    20V
    80V
    400A
    4.7mm
    10.16mm
    8.7mm
    4.58mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDP047N08
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 75V 164A TO-220
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    5 Weeks
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    164A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    268W
    -
    100 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.7m Ω @ 80A, 10V
    4.5V @ 250μA
    9415pF @ 25V
    152nC @ 10V
    147ns
    ±20V
    114 ns
    164A
    -
    20V
    75V
    656A
    16.51mm
    10.67mm
    4.83mm
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2004
    4.7MOhm
    Tin (Sn)
    TO-220AB
    670 mJ
    3.5 V
    无
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