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CSD19532Q5B备选型号: AUIRFS3207Z
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- JESD-30代码
- 配置
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 100V 100A 8SONACTIVE (Last Updated: 1 day ago)8 WeeksTin表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON100A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)NexFET™e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99雪崩 额定DUAL无铅260not_compliant未说明CSD195321Single增强型MOSFET3.1WDRAIN7 nsN-ChannelSWITCHING4.9m Ω @ 17A, 10V3.2V @ 250μA4810pF @ 50V62nC @ 10V6ns±20V6 ns100A2.6V20V0.0057Ohm100V400A274 mJ150°C1.05mm5mm6mm950μm无SVHCROHS3 Compliant含铅----
MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK-16 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON120A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®e3-Discontinued1 (Unlimited)2EAR99AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE, HIGH RELIABILITYSINGLE鸥翼260-30---增强型MOSFET300WDRAIN20 nsN-ChannelSWITCHING4.1m Ω @ 75A, 10V4V @ 150μA6920pF @ 50V170nC @ 10V68ns±20V68 ns120A2V20V-75V670A--4.83mm10.67mm9.65mm-无SVHCROHS3 Compliant-2011R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BSC070N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | Trans MOSFET N-CH 100V 90A 8-Pin TDSON EP | 对比 |
| AUIRFS3207Z | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK | 对比 |
| AUIRFS4610 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK | 对比 |
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