您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 CSD19533KCS vs STP80N10F7

CSD19533KCS备选型号: STP80N10F7

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 功率耗散
  • Texas Instruments
    CSD19533KCS
    Texas Instruments
    MOSFET N-CH 100V 86A TO220-3
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    6 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    6.000006g
    SILICON
    100A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    NexFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    雪崩 额定
    未说明
    not_compliant
    未说明
    CSD19533
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    10.5m Ω @ 55A, 10V
    3.4V @ 250μA
    2670pF @ 50V
    35nC @ 10V
    5ns
    ±20V
    2 ns
    100A
    2.8V
    20V
    100V
    207A
    4.7mm
    10.16mm
    8.7mm
    4.58mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • STMicroelectronics
    STP80N10F7
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    13 Weeks
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    329.988449mg
    SILICON
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    DeepGATE™, STripFET™ VII
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    ULTRA LOW-ON RESISTANCE
    -
    -
    -
    STP80N
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    19 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    10m Ω @ 40A, 10V
    4.5V @ 250μA
    3100pF @ 50V
    45nC @ 10V
    32ns
    ±20V
    13 ns
    80A
    -
    20V
    100V
    -
    4.6mm
    10.4mm
    15.75mm
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    110W
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FDP085N10A-F102 FDP085N10A-F102 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 96A TO-220-3 对比
IPP100N08N3GXKSA1 IPP100N08N3GXKSA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 Trans MOSFET N-CH 80V 70A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube 对比
IPP083N10N5AKSA1 IPP083N10N5AKSA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 MOSFET N-Ch 100V 73A TO220-3 对比