Infineon Technologies IPP083N10N5AKSA1

工厂交货时间

13 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

质量

6.000006g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

73A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

100W Tc

Turn Off Delay Time

21 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

OptiMOS™

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin (Sn)

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

13 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8.3m Ω @ 73A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.8V @ 49μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2730pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

37nC @ 10V

上升时间

5ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

5 ns

连续放电电流(ID)

73A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

100V

漏极-源极导通最大电阻

0.0083Ohm

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

292A

雪崩能量等级（Eas）

42 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅